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產(chǎn)品中心分立半導(dǎo)體模塊IGBT模塊
IGBT,絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)。西門康SEMIKRON賽米控IGBT模塊電子元器件2U
更新時(shí)間：2024-06-24
產(chǎn)品型號(hào)：GB兩單元
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SEMITRANS是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設(shè)計(jì)，可用于20kW至500kW的逆變器。通過多渠道采購(gòu)的IGBT以及賽米控CAL二極管，這些模塊的規(guī)格可達(dá)到900A和 1700V。憑借超過25年的市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)，SEMITRANS封裝提供成熟可靠、久經(jīng)考驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)。西門康IGBT模塊分立半導(dǎo)體模塊一單元(1U)
更新時(shí)間：2024-06-24產(chǎn)品型號(hào)：GA一單元 600V/1200V/1700V瀏覽量：1432